創成科学研究科電気電子情報系専攻の田邉凌平さんが第23回(2018年度)応用物理学会中国四国支部学術講演会発表奨励賞を受賞

創成科学研究科電気電子情報系専攻の田邉凌平さんが第23回(2018年度)応用物理学会中国四国支部学術講演会発表奨励賞を受賞

(平成30年11月8日掲載)

2018年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会(2018年8月4日(土曜日)、会場:広島大学)において優秀な講演を行ったとして、創成科学研究科電気電子情報系専攻博士前期課程1年の田邉凌平さんが、第23回(2018年度)応用物理学会中国四国支部学術講演会発表奨励賞を受賞しました。

この賞は、応用物理学会中国四国支部が支部学術講演会において応用物理学の発展に貢献しうる優秀な講演を行った若手会員に対し、その功績をたたえることを目的として授与されるものです。今回、受賞対象となった発表題目は「転位密度が異なるAlGaN量子井戸構造における内部量子効率のSi添加量依存性」です。受賞対象となった講演は、深紫外域で発光する固体光源用半導体材料として注目されているAlGaN量子井戸構造の高発光効率化を目指したものであり、半導体中に含まれる転位(結晶欠陥の一種)の量に応じて、結晶性改質に用いられるSi不純物の発光効率に対する影響が異なることを示しました。転位密度を低減することで、Siの結晶改質効果がより高められる可能性を見出しました。

受賞に対して田邉さんは、「自分の研究が評価され大変嬉しく思います。これを励みとして今後の研究に取り組んでいきたいです」と述べています。