創成科学研究科電気電子情報系専攻の稲井滉介さんと迫山卓哉さんが第27回(2022年度)応用物理学会中国四国支部学術講演会発表奨励賞を受賞しました

（令和4年12月13日掲載）

2022年7月30日（土曜日）、香川大学教育学部で開催された2022年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会において、創成科学研究科電気電子情報系専攻博士前期課程1年の稲井滉介さんと迫山卓哉さんが、第27回(2022年)応用物理学会中国四国支部学術講演会発表奨励賞を受賞しました。(学会HP：https://annex.jsap.or.jp/chushi/award/announcement/)

本発表奨励賞は、一般講演において、応用物理学の発展に貢献しうる優秀な講演を行った若手会員に対し、その功績をたたえることを目的として授与されるものです。

稲井さんと迫山さんは、深紫外線光源用半導体材料(AlGaN)および可視光光源用半導体材料(InGaN)が有する結晶の不完全性(欠陥)が、光学特性に与える影響を通じた電気-光エネルギー変換効率改善に向けた研究について講演したことが評価され、このたびの受賞となりました。

稲井さん、迫山さんの発表題目と感想はそれぞれ以下の通りです。

この度の受賞が今後の研究活動の励みとなることを期待しております。

稲井滉介さん
題目：「高温アニール処理されたスパッタ成膜AlNテンプレート上AlGaN量子井戸構造における内部量子効率の量子井戸数依存性」
感想：「この度は奨励賞を頂くことができ、大変嬉しく思います。今回の受賞は、日頃から熱心にご指導いただいた先生方、研究にご協力いただいた共同研究者、研究室の皆様あってのことと、感謝申し上げます。今後はより一層、研究活動に注力したいと考えております。」

迫山卓哉さん
題目：「InGaN/GaN多重量子井戸中の点欠陥の評価と伝搬メカニズム」
感想：「学会発表の1週間前の研究室の発表練習にて先生方から厳しいご指摘を頂き、当日発表出来るか否かの状態でしたが、諦めずに発表資料を修正し自分の番になるまで発表練習して挑んだ結果、この賞を頂いたのでとても嬉しいです。これも丁寧なご指導と何度も挑戦する機会を与えて下さった先生方、前日の夜中でも発表練習に付き添って頂いた先輩方、応援してくれた研究室の同期や家族のおかげです。」